手機(jī)也要上HBM芯片？三星計劃推出移動版HBM，預(yù)計首款產(chǎn)品2028年上市
近年來，隨著AI的興起，一種具有高帶寬低功耗特征的存儲芯片——HBM芯片也隨之爆火，包括 NVIDIA H100、AMD MI300等均使用了HBM芯片?，F(xiàn)在，三星計劃進(jìn)一步擴(kuò)大HBM芯片的使用范圍，將其帶到手機(jī)市場。
據(jù)韓國首爾經(jīng)濟(jì)日報報道，三星電子半導(dǎo)體暨裝置解決方案（DS）部門首席技術(shù)官宋在赫表示，搭載LPW DRAM內(nèi)存的首款移動產(chǎn)品將在2028年上市。LPW DRAM通過堆疊LPDDR DRAM，大幅增加I/O接口，可減少耗電量并提高性能，采用垂直引線鍵合的新封裝技術(shù)，被譽為“移動HBM”。其帶寬可達(dá)200GB/s以上，較現(xiàn)有的LPDDR5x提升166%。
據(jù)了解，HBM為High Bandwidth Memory縮寫，意即高帶寬內(nèi)存。這是一種基于3D堆疊技術(shù)的高性能動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM），專為需要極高數(shù)據(jù)帶寬的應(yīng)用設(shè)計。它通過垂直堆疊多層DRAM芯片，利用**硅通孔（TSV）和中介層（Interposer）**實現(xiàn)與處理器（如GPU、CPU、AI加速器）的高速互聯(lián)，顯著提升內(nèi)存帶寬和能效。
舉例來說，單顆HBM芯片帶寬可達(dá)數(shù)百GB/s至數(shù)TB/s（例如HBM3單堆棧帶寬達(dá)819 GB/s）；同時，相比GDDR6，得益于短距離互連和先進(jìn)制程，HBM在相同帶寬下功耗降低約50%。
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