中微公司三季報(bào)中的兩項(xiàng)重大技術(shù)突破:存儲(chǔ)芯片用高端刻蝕機(jī)大規(guī)模量產(chǎn),多款薄膜設(shè)備性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平
2025年10月29日,中微公司(688012.SH)發(fā)布了2025年第三季度報(bào)告。公司2025年前三季度(1-9月)營(yíng)業(yè)收入為80.63億元,同比增長(zhǎng)約46.40%,歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為12.11億元,較去年同期增長(zhǎng)約32.66%,研發(fā)支出25.23億元,較去年同期增長(zhǎng)約63.44%,研發(fā)支出占公司營(yíng)業(yè)收入比例約為31.29%。

對(duì)于此次利潤(rùn)增長(zhǎng),中微公司表示,主要有三大原因:
1、2025年前三季度營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)46.40%下,毛利較上年增長(zhǎng)約8.27億元;
2、由于市場(chǎng)對(duì)中微開(kāi)發(fā)多種新設(shè)備的需求急劇增長(zhǎng),2025年公司顯著加大研發(fā)力度,以盡快補(bǔ)短板,實(shí)現(xiàn)趕超,為持續(xù)增長(zhǎng)打好基礎(chǔ)。2025年前三季度公司研發(fā)支出較上年同期增長(zhǎng)9.79億元(增長(zhǎng)約63.44%),研發(fā)支出占公司營(yíng)業(yè)收入比例約為31.29%,遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板均值;
3、由于市場(chǎng)波動(dòng),公司2025年前三季度計(jì)入非經(jīng)常性損益的股權(quán)投資收益為3.29億元,較上年同期增加約2.75億元。
存儲(chǔ)芯片用刻蝕機(jī)獲重大突破,薄膜設(shè)備收入同比增長(zhǎng)1333%
值得一提的是,中微公司不僅實(shí)現(xiàn)了業(yè)績(jī)上的增長(zhǎng),在技術(shù)領(lǐng)域,中微公司同樣有重大突破。
一是,存儲(chǔ)芯片用刻蝕機(jī)獲重大突破。
中微公司表示,公司針對(duì)先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升,先進(jìn)邏輯器件中段關(guān)鍵刻蝕工藝和先進(jìn)存儲(chǔ)器件的超高深寬比刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中CCP方面,公司用于關(guān)鍵刻蝕工藝的單反應(yīng)臺(tái)介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品保持高速增長(zhǎng),60比1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備成為國(guó)內(nèi)標(biāo)配設(shè)備,量產(chǎn)指標(biāo)穩(wěn)步提升,下一代90比1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備即將進(jìn)入市場(chǎng)。
二是,薄膜設(shè)備領(lǐng)域取得重大突破。
今年前三季度,中微公司LPCVD和ALD等薄膜設(shè)備收入4.03億元,同比增長(zhǎng)約1332.69%。
中微公司強(qiáng)調(diào),公司為先進(jìn)存儲(chǔ)器件和邏輯器件開(kāi)發(fā)的LPCVD、ALD等多款薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進(jìn)入市場(chǎng),并且設(shè)備性能完全達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,薄膜設(shè)備的覆蓋率不斷增加。
除了上述兩大突破,在其他技術(shù)領(lǐng)域,中微公司也有進(jìn)展。
中微公司表示,ICP方面,適用于下一代邏輯和存儲(chǔ)客戶(hù)用ICP刻蝕設(shè)備和化學(xué)氣相刻蝕設(shè)備開(kāi)發(fā)取得了良好進(jìn)展。加工的精度和重復(fù)性已達(dá)到單原子水平。
此外,公司硅和鍺硅外延EPI設(shè)備已順利運(yùn)付客戶(hù)端進(jìn)行量產(chǎn)驗(yàn)證,并且獲得客戶(hù)高度認(rèn)可。在泛半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域,公司正在開(kāi)發(fā)更多化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備,已陸續(xù)付運(yùn)至客戶(hù)端開(kāi)展生產(chǎn)驗(yàn)證。
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